連續磁控濺射鍍膜解決方案

堅持自主創新磁控濺射鍍膜設備采用先進的in-line產線結構，Twin-Mag孿生陰極磁控濺射技術，并配以全自動控制系統、先進的真空系統，可在玻璃襯底上鍍制SiO2、ITO、AZO、Al、Ni、Ti等各類絕緣介質薄膜、金屬或合金薄膜，并可連續濺鍍多種不同材質的薄膜構成復合多膜層結構，適合大規模光學、電學薄膜的生產，做到一機多用，填補了國內空白。

   CP-PVD系列磁控濺射鍍膜設備是由廣東志成冠軍集團與華中科技大學機械科學與工程學院、東莞華中科技大學制造工程研究院根據連續濺鍍薄膜功能材料的要求聯合自主研發而成，具有高能效、高可靠性、低成本的優勢。
      本產品可廣泛應用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產業領域。

技術特點：
（一）產品結構特點
      1）in-line多腔體模塊化結構，鍍膜室、進出片室緩沖隔離處理。
      2）防顆粒立式腔體、小角度傾斜腔體或高穩定性臥式腔體，雙端進出，自動回架。
      3）孿生平面靶結構、圓柱靶，可進行雙面濺鍍。
      4）磁流體密封，動態真空穩定性極佳。
      5）磁導流、磁懸浮傳動，運行過程平穩可靠。
      6）SUS304不銹鋼腔體材料，內壁拋光放氣率低，外壁拋光噴珠美觀耐用。
      7）平移架氣缸自動化平移，與自動平移實現同步連鎖。
      8）真空室之間采用門閥—插板閥隔開，高效隔斷，工藝氣體波動最小化。
（二）C-Mag技術
      1）基于志成冠軍“C-Mag”技術，靶材利用率比一般設備提高10%以上。
      2）基于志成冠軍“C-Mag”技術，可使設備稼動率提高到90%以上。
（三）生產工藝特點
      1）RF或離子源預清洗設計，高度清潔基材表面，增強膜層附著力。
      2）DC濺射、MF濺射、RF濺射根據工藝需求可選。
      3）隔離式磁控濺射多靶位，SiO2、ITO等多層膜連續濺鍍。
      4）膜層均勻性好，可控制在±3%以內。
      5）紅外加熱，分段PID溫度控制，溫度誤差控制±3℃。
      6）變頻調速，生產速率可控。
      7）人機界面，PC+PLC控制，生產過程全自動化，高穩定性、高重復性。
      8）偏壓濺射：在基片上施加偏置電壓，使基片位置相對接地（陽極），真空室處負電位，吸引部分離子加速流向基片，提高成膜轟擊原子的能量，達到改變膜層性能的目的。可分為直流和脈沖偏壓濺射。
      9）膜厚監控和沉積過程由計算機在線控制。
      10）膜厚監控和沉積速率由計算機在線控制。
      11）可選增加在線退火處理箱體。

技術參數：
      1）極限真空：6×10-4Pa
      2）生產節拍：40-120s/架（依賴于具體的生產工藝進行定制）
      3）基片尺寸：可定制，可實現同機濺射多種尺寸產品的柔性化設計
      4）膜層均勻性：±3%
      5）加熱溫度：最大400℃